三菱材料開(kāi)發(fā)出了用于薄膜硅型太陽(yáng)能電池電極的Ag(銀)納米墨、ITO(氧化銦錫)納米墨及SiO2墨。這些墨系將納米顆粒分散到墨中制成，涂布在薄膜硅型太陽(yáng)能電池的Si層上后，可以形成名為背面電極的亞微米級(jí)厚度的薄膜。其光電轉(zhuǎn)換效率可與原來(lái)的真空成膜相當(dāng)。

薄膜硅型太陽(yáng)能電池的優(yōu)點(diǎn)有：硅用量可減至結(jié)晶硅型的1/100左右、能量?jī)敻镀?所發(fā)電力達(dá)到制造該產(chǎn)品所需電力的運(yùn)行時(shí)間)短、與化合物半導(dǎo)體型太陽(yáng)能電池相比不容易受Te(碲)等原料用量的限制等。不過(guò)，對(duì)太陽(yáng)能電池廠商而言，引進(jìn)多種真空成膜裝置的初期投資成本高是一個(gè)很大的問(wèn)題，要通過(guò)轉(zhuǎn)變成涂布成膜工藝來(lái)大幅降低成本。

據(jù)介紹，此次的電極墨，可利用大日本網(wǎng)屏制造(DNS)的涂布裝置Linearcoater在1.4m1.1m的大塊玻璃上穩(wěn)定成膜。這有利于削減薄膜硅型太陽(yáng)能電池的制造成本。

三菱材料將在2011年十一月二十八日～十二月二日于福岡縣福岡市舉辦的21stInternationalPhotovoltaicScienceandEngineeringConference上公布此次的開(kāi)發(fā)成果。另外，大日本網(wǎng)屏制造將在2011年十一月二十八日～十一月三十日于我國(guó)上海市舉辦的PVChina2011上介紹這種墨的涂布工藝。