鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量:879次 | 2019年01月05日
伊利諾大學(xué)參與研發(fā)3D GOn涂層 欲借此抑制鋰晶枝生成
據(jù)外媒報(bào)道,盡管鋰金屬電池?fù)碛写笕萘?、低氧化還原電勢(shì)(lowredoxpotential)等理論上的優(yōu)勢(shì),但在實(shí)際應(yīng)用中,鋰金屬陽(yáng)極容易出現(xiàn)鋰晶枝增生(Dendriticgrowthoflithium)的情況。
伊利諾大學(xué)芝加哥分校(UniversityofIllinoisatChicago)的研究人員與美國(guó)德州農(nóng)工大學(xué)(TexasA&MUniversity)的同事們采用3D石墨烯氧化物納米保形涂層(3Dconformalgrapheneoxidenanosheetcoating,GOn),并將其置入玻璃纖維隔板(glassfiberseparator)的織物結(jié)構(gòu)內(nèi),使鋰離子能夠在該結(jié)構(gòu)內(nèi)靈活移動(dòng),同時(shí)抑制鋰晶枝的形成。
其研究成果發(fā)布在期刊《先進(jìn)功能材料》(AdvancedFunctionalMaterials)中,宣稱(chēng)鋰金屬電池陽(yáng)極的使用壽命及穩(wěn)定性得到了“顯著提升(remarkablyenhanced)”。從頭算分子動(dòng)力學(xué)(Abinitiomoleculardynamics,AIMD)模擬結(jié)果表明,鋰離子最初將被親鋰(lithiophilicGOn)吸收,然后通過(guò)缺損空位(缺位,defectsites)擴(kuò)散,從而延遲鋰(離子)遷移(Litransfer),旨在消除“末端效應(yīng)(tipeffect)”,防止生成均勻鋰成核(homogeneousLinucleation)。
同時(shí),在AIMD模擬期間,碳碳鍵(C—Cbonds)的破裂將創(chuàng)建更多的途徑,加快鋰離子傳輸?shù)乃俣?。此外,相?chǎng)建模(phase-fieldmodeling)證明,若GOn機(jī)械剛性涂層的缺陷尺寸(defectsize)處于合適值時(shí)——小于25納米,可阻止鋰的各向異性生長(zhǎng)(anisotropicgrowth)。該研究團(tuán)隊(duì)表示,相較于采用2D材料來(lái)抑制鋰晶枝,其研究無(wú)疑邁進(jìn)了一大步。
該項(xiàng)研究獲得了美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)(NationalScienceFoundation)授權(quán)的DMR-1620901及美國(guó)能源部授權(quán)的DE-EE0007766資金補(bǔ)助。