一、對(duì)短路電流Jsc的影響

當(dāng)使用更薄的多晶硅片時(shí)，要面臨的一個(gè)問(wèn)題是表面的復(fù)合與基區(qū)的材料質(zhì)量。已經(jīng)有實(shí)驗(yàn)證實(shí)，在使用SiNx作為前表面鈍化層和Al作為背面場(chǎng)(BSF)時(shí)，當(dāng)多晶硅片厚度大于200um，Jsc與硅片厚度是相互獨(dú)立的關(guān)系，只有硅片厚度小于200um，Jsc才隨著厚度的減少而減少。BSF能阻礙光生少子向背表面運(yùn)動(dòng)，降低背表面復(fù)合，有利于p/n結(jié)對(duì)載流子的收集。厚度低時(shí)，基體對(duì)入射光的吸收減少，此時(shí)BSF對(duì)太陽(yáng)電池的短路電流密度的影響就更明顯。SiNx作為前表面鈍化層可以降低表面復(fù)合并且提高基區(qū)材料的質(zhì)量。但是，當(dāng)硅片厚度很低時(shí)，很低低能量光子將穿過(guò)硅片而不能被吸收，Jsc會(huì)出現(xiàn)降低的趨勢(shì)。

二、硅片厚度對(duì)開(kāi)路電壓Voc的影響

在多晶硅太陽(yáng)電池的背面使用AL-BSF時(shí)，如果硅片厚度大于200um，開(kāi)路電壓Voc與硅片厚度就是獨(dú)立的關(guān)系。硅片比較厚時(shí)，Voc與硅片厚度相互獨(dú)立。

三、硅片厚度效率的影響

在硅片厚度大于200um時(shí)，使用AL-BSF的多晶硅太陽(yáng)電池的效率是與硅片厚度相互獨(dú)立的。對(duì)于厚度小于200um的硅片，高基區(qū)質(zhì)量的太陽(yáng)電池效率會(huì)隨著厚度減小而減少，對(duì)于低基區(qū)質(zhì)量的太陽(yáng)電池，效率仍然是常數(shù)。

在標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)出來(lái)?xiàng)l步驟下，200um的硅片厚度是多晶硅太陽(yáng)電池性能減少的起始點(diǎn)。當(dāng)多晶硅片厚度小于200um時(shí)，多晶硅太陽(yáng)電池的主要電學(xué)參數(shù)開(kāi)始減少。在降低硅片厚度以減少光伏成本時(shí)，要使用有效的表面鈍化方法來(lái)減少表面復(fù)合與提高基區(qū)質(zhì)量。