鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量：1379次 | 2021年05月11日
鋰電池充電器的反向電壓保護(hù)
作者/StevenMartinADI公司電池充電器設(shè)計(jì)經(jīng)理
摘要：開發(fā)一種面向基于電池充電器應(yīng)用的反向電壓保護(hù)電路
引言
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會(huì)出現(xiàn)額外的功耗。雖然該方法很簡(jiǎn)潔，但是二極管在便攜式或備份應(yīng)用中是不起用途的，因?yàn)殡姵卦诔潆姇r(shí)必須吸收電流，而在不充電時(shí)則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖1所示的MOSFET電路之一。
關(guān)于負(fù)載側(cè)電路而言，這種方法比使用二極管更好，因?yàn)殡娫?電池)電壓增強(qiáng)了MOSFET，因而出現(xiàn)了更少的壓降和實(shí)質(zhì)上更高的電導(dǎo)。該電路的NMOS版本比pMOS版本更好，因?yàn)榉至⑹絅MOS晶體管導(dǎo)電率更高、成本更低且可用性更好。在這兩種電路中，MOSFET都是在電池電壓為正時(shí)導(dǎo)通，電池電壓反轉(zhuǎn)時(shí)則斷開連接。MOSFET的物理“漏極”變成了電源，因?yàn)樗趐MOS版本中是較高的電位，而在NMOS版本中則是較低的電位。由于MOSFET在三極管區(qū)域中是電對(duì)稱的，因此它們?cè)趦蓚€(gè)方向上都能很好地傳導(dǎo)電流。采用此方法時(shí)，晶體管必須具有高于電池電壓的最大VGS和VDS額定值。
符合Exic IIB T4 Gc防爆標(biāo)準(zhǔn)
充電溫度：0~45℃
-放電溫度：-40~+55℃
-40℃最大放電倍率：1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%
遺憾的是，這種方法僅對(duì)負(fù)載側(cè)電路有效，無(wú)法配合能夠給電池充電的電路工作。電池充電器將出現(xiàn)電源，重新啟用MOSFET并重新建立至反向電池的連接。圖2展示了采用NMOS版本的一個(gè)實(shí)例，圖中所示的電池處于故障狀態(tài)。
當(dāng)電池接入時(shí)，電池充電器處于閑置狀態(tài)，負(fù)載和電池充電器與反向電池安全去耦。然而，假如充電器變至運(yùn)行狀態(tài)(例如：附聯(lián)了輸入電源連接器)，則充電器在NMOS的柵極和源極之間出現(xiàn)一個(gè)電壓，這增強(qiáng)了NMOS，從而實(shí)現(xiàn)電流傳導(dǎo)。這一點(diǎn)在圖3中更形象。
負(fù)載和充電器雖與反向電壓隔離，但是起保護(hù)用途的MOSFET現(xiàn)在面對(duì)的一大問(wèn)題是功耗過(guò)高。在這種情況下，電池充電器變成了一個(gè)電池放電器。當(dāng)電池充電器為MOSFET供應(yīng)了足夠的柵極支持以吸收由充電器輸送的電流時(shí)，該電路將達(dá)到平衡。例如，假如一個(gè)強(qiáng)大MOSFET的VTH約為2V，而且充電器能夠在2V電壓下供應(yīng)電流，則電池充電器輸出電壓將穩(wěn)定在2V(MOSFET的漏極處在2V+電池電壓)。MOSFET中的功耗為ICHARGE?(VTH+VBAT)，因而使MOSFET升溫發(fā)熱，直到出現(xiàn)的熱量散逸離開印刷電路板。該電路的pMOS版本也是相同。下面將介紹該方法的兩種替代方法，這些替代方法各有優(yōu)缺點(diǎn)。
1N溝道MOSFET設(shè)計(jì)
第一種方法采用一個(gè)NMOS隔離器件，如圖4所示。該電路的算法是：假如電池電壓超過(guò)了電池充電器輸出電壓，則必須停用隔離MOSFET。
IP67防水，充放電分口 安全可靠
標(biāo)稱電壓：28.8V
標(biāo)稱容量：34.3Ah
電池尺寸：(92.75±0.5)* (211±0.3)* (281±0.3)mm
應(yīng)用領(lǐng)域：勘探測(cè)繪、無(wú)人設(shè)備
如同上述的NMOS方法相同，在該電路中，MN1連接在介于充電器/負(fù)載和電池端子之間接線的低壓側(cè)。然而，晶體管Mp1和Q1現(xiàn)在供應(yīng)了一個(gè)檢測(cè)電路，該電路在電池反接的情況下將停用MN1。反接電池將Mp1的源極升舉至高于其連接至充電器正端子的柵極。接著，Mp1的漏極通過(guò)R1將電流輸送至Q1的基極。然后，Q1將MN1的柵極分流至地，防止充電電流在MN1中流動(dòng)。R1負(fù)責(zé)控制在反向檢測(cè)期間流到Q1的基極電流，而R2則在正常操作中為Q1的基極供應(yīng)泄放。R3賦予了Q1將MN1的柵極拉至地電位的權(quán)限。R3/R4分壓器限制MN1柵極上的電壓，這樣?xùn)艠O電壓在反向電池?zé)岵灏纹陂g不必下降那么多。最壞情況是電池充電器已經(jīng)處于運(yùn)行狀態(tài)、出現(xiàn)其恒定電壓電平，附聯(lián)了一個(gè)反接電池時(shí)。在這種情況下，必需盡可能快地關(guān)斷MN1，以限制消耗高功率的時(shí)間。該電路帶有R3和R4的這一特殊版本最適合12V鉛酸電池應(yīng)用，但是在單節(jié)和兩節(jié)鋰離子電池產(chǎn)品等較低電壓應(yīng)用中，可以免除R4。電容器C1供應(yīng)了一個(gè)超快速充電泵，以在反向電池附聯(lián)期間下拉MN1的柵極電平。關(guān)于最差情形(附聯(lián)一個(gè)反向電池時(shí)充電器已使能的狀況再次出現(xiàn))，C1非常有用。
該電路的缺點(diǎn)是要額外的組件，R3/R4分壓器在電池上出現(xiàn)了一個(gè)雖然很小、但卻是持續(xù)的負(fù)載。
此類組件大多是纖巧的。Mp1和Q1不是功率器件，而且通常可采用SOT23-3、SC70-3或更小的封裝。MN1應(yīng)具有非常優(yōu)良的導(dǎo)電性，因?yàn)樗莻鬏斊骷浅叽绮槐睾艽蟆Ｓ捎谒谏钊龢O管區(qū)工作，并且得到了大幅的柵極強(qiáng)化，因此其功耗即使關(guān)于導(dǎo)電性中等的器件來(lái)說(shuō)也很低。例如，100m?以下的晶體管也經(jīng)常采用SOT23-3封裝。
不過(guò)，采用一個(gè)小傳輸晶體管的缺點(diǎn)是：與電池充電器串聯(lián)的額外阻抗延長(zhǎng)了恒定電壓充電階段的充電時(shí)間。例如，假如電池及其配線具有100m?的等效串聯(lián)電阻，并且采用了一個(gè)100m?的隔離晶體管，那么恒定電壓充電階段中的充電時(shí)間將加倍。
Mp1和Q1組成的檢測(cè)和停用電路停用MN1的速度不是特別快，而且它們無(wú)須如此。雖然MN1在反向電池附聯(lián)期間出現(xiàn)高功耗，但是關(guān)斷電路只需“在最后”斷開MN1連接。它必需在MN1升溫幅度大到導(dǎo)致受損之前斷開MN1連接。幾十微秒的斷開連接時(shí)間可能比較適合。另一方面，在反接電池有機(jī)會(huì)將充電器和負(fù)載電壓拉至負(fù)值之前停用MN1至關(guān)重要，因而要采用C1?；旧?，該電路具有一條AC和一條DC停用路徑。
用一個(gè)鉛酸電池和LTC4015電池充電器對(duì)此電路進(jìn)行了測(cè)試。如圖5所示，當(dāng)反向電池?zé)岵灏螘r(shí)電池充電器處于OFF狀態(tài)。反向電壓不會(huì)被傳送至充電器和負(fù)載。
值得注意的是，MN1要一個(gè)等于電池電壓的VDS額定值和一個(gè)等于1/2電池電壓的VGS額定值。Mp1要一個(gè)等于電池電壓的VDS和VGS額定值。
圖6顯示了一種更加嚴(yán)重的情況，就是在反向電池進(jìn)行熱插拔時(shí)電池充電器已處于正常運(yùn)行狀態(tài)。電池反接將下拉充電器側(cè)電壓，直到檢測(cè)和保護(hù)電路使其脫離運(yùn)行狀態(tài)，從而讓充電器安全返回至其恒定電壓電平。動(dòng)態(tài)特性將因應(yīng)用而異，而電池充電器上的電容將對(duì)最終結(jié)果起到很大的用途。在該測(cè)試中，電池充電器兼具一個(gè)高Q值陶瓷電容器和一個(gè)Q值較低的聚合物電容器。
總之，建議在電池充電器上采用鋁聚合物電容器和鋁電解電容器，以改善正常的正向電池?zé)岵灏纹陂g的性能。由于極度的非線性，純陶瓷電容器會(huì)在熱插拔期間出現(xiàn)過(guò)高的過(guò)沖，背后的原因是：當(dāng)電壓從0V升至額定電壓時(shí)，其電容的降幅可達(dá)驚人的80%。這種非線性在低電壓條件下激發(fā)高電流的流動(dòng)，而當(dāng)電壓上升時(shí)則使電容快速遞減;這是一種導(dǎo)致非常高電壓過(guò)沖的致命組合。憑相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，一個(gè)陶瓷電容器與一個(gè)較低Q值、電壓穩(wěn)定的鋁電容器甚至鉭電容器的組合似乎是最穩(wěn)健的組合形式。
2p溝道MOSFET設(shè)計(jì)
圖7示出了第二種方法，即采用一個(gè)pMOS晶體管作為保護(hù)器件。
在此電路中，Mp1是反向電池檢測(cè)器件，Mp2是反向隔離器件。利用Mp1的源極至柵極電壓來(lái)比較電池的正端子與電池充電器輸出。假如電池充電器端子電壓高于電池電壓，則Mp1將停用主傳輸器件Mp2。因此，假如電池電壓被驅(qū)動(dòng)至低于地電位，則顯然，檢測(cè)器件Mp1將把傳輸器件Mp2驅(qū)動(dòng)至關(guān)斷狀態(tài)(將其柵極干擾至其源極)。不管電池充電器是使能并形成充電電壓還是停用(0V)，它都將完成上述操作。
該電路的最大優(yōu)勢(shì)是pMOS隔離晶體管Mp2根本不具備將負(fù)電壓傳送至充電器電路和負(fù)載的權(quán)限。圖8對(duì)此做了更加清晰的圖解。
通過(guò)R1在Mp2的柵極上可實(shí)現(xiàn)的最低電壓為0V。即使Mp2的漏極被拉至遠(yuǎn)低于地電位，其源極也不會(huì)施加顯著的電壓下行壓力。一旦源極電壓降至晶體管高于地電位的VTH，晶體管將解除自身偏置，而且它的傳導(dǎo)性逐漸消失。源極電壓越接近地電位，晶體管的偏置解除程度越高。這種特性加上簡(jiǎn)單的拓?fù)?，使得這種方法比前文介紹的NMOS方法更受青睞。與NMOS方法相比，它確實(shí)存在著pMOS晶體管導(dǎo)電性較低且成本較高的不足。
盡管比NMOS方法簡(jiǎn)單，但是該電路還有一個(gè)很大的缺點(diǎn)。雖然它始終供應(yīng)針對(duì)反向電壓的保護(hù)用途，但是它可能不會(huì)總是將電路連接到電池。當(dāng)柵極如圖8所示交叉耦合時(shí)，該電路形成了一個(gè)閉鎖存儲(chǔ)元件，此元件有可能選擇錯(cuò)誤的狀態(tài)。雖然難以實(shí)現(xiàn)，但存在這樣一種情況：充電器正在出現(xiàn)電壓(比如12V)，在一個(gè)較低的電壓(比如8V)附聯(lián)電池，電路斷開連接。
在這種情況下，Mp1的源極至柵極電壓為+4V，因而強(qiáng)化Mp1并停用Mp2。這種情況如圖9所示，并在節(jié)點(diǎn)上列出了穩(wěn)定的電壓。
為了實(shí)現(xiàn)該條件，電池接入時(shí)充電器必須已經(jīng)處于運(yùn)行狀態(tài)。假如電池在充電器使能之前接入，則Mp1的柵極電壓完全由電池上拉，因而停用Mp1。當(dāng)充電器接通時(shí)，它出現(xiàn)一個(gè)受控的電流(而不是高電流沖擊)，這降低了Mp1接通、Mp2關(guān)斷的可能性。
另一方面，假如充電器在電池附聯(lián)之前啟用，則Mp1的柵極只需簡(jiǎn)單地跟隨電池充電器輸出，因?yàn)樗怯尚狗烹娮杵鱎2上拉的。未接入電池時(shí)，Mp1根本沒有接通和使Mp2脫離運(yùn)行狀態(tài)的傾向。
當(dāng)充電器已經(jīng)啟動(dòng)并運(yùn)行、而電池附聯(lián)在后時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。在這種情況下，在充電器輸出和電池端子之間存在瞬間差異，這將促使Mp1使Mp2脫離運(yùn)行狀態(tài)，因?yàn)殡姵仉妷簭?qiáng)制充電器電容進(jìn)行吸收。這使Mp2從充電器電容器吸取電荷的能力與Mp1使Mp2脫離運(yùn)行狀態(tài)的能力之間形成了競(jìng)爭(zhēng)。
該電路也用一個(gè)鉛酸電池和LTC4015電池充電器進(jìn)行了測(cè)試。將一個(gè)承受重負(fù)載的6V電源作為電池模擬器連接至一個(gè)已經(jīng)使能的電池充電器絕對(duì)不會(huì)觸發(fā)“斷開連接”狀態(tài)。所做的測(cè)試并不全面，應(yīng)在關(guān)鍵應(yīng)用中更加全面徹底地進(jìn)行測(cè)試。即使電路確已鎖定，停用電池充電器并重新啟用它仍將始終導(dǎo)致重新連接。
故障狀態(tài)可通過(guò)人為操控電路(在R1的頂端和電池充電器輸出之間建立臨時(shí)連接)進(jìn)行演示。然而，普遍認(rèn)為該電路更傾向于連接。假如連接失敗確實(shí)成為一個(gè)問(wèn)題，那么可以設(shè)計(jì)一款利用多個(gè)器件停用電池充電器的電路。圖12給出了一個(gè)更加完整的電路例子。
圖10示出了充電器被停用的pMOS保護(hù)電路的效果。請(qǐng)注意，不論什么情況，電池充電器和負(fù)載電壓都不會(huì)出現(xiàn)負(fù)電壓傳送。圖11示出了該電路處于“當(dāng)反接電池進(jìn)行熱插拔時(shí)充電器已進(jìn)入運(yùn)行狀態(tài)”這種不利情況下。
與NMOS電路的效果相差無(wú)幾，在斷開電路連接使傳輸晶體管Mp2脫離運(yùn)行狀態(tài)之前，反向電池略微下拉充電器和負(fù)載電壓。
在電路的這個(gè)版本中，晶體管Mp2必須能夠經(jīng)受兩倍于電池電壓的VDS(一個(gè)用于充電器，一個(gè)用于反接電池)和等于電池電壓的VGS。另一方面，Mp1必須能夠經(jīng)受等于電池電壓的VDS和兩倍于電池電壓的VGS。這項(xiàng)要求令人遺憾，因?yàn)殛P(guān)于MOSFET晶體管來(lái)說(shuō)，額定VDS始終超過(guò)額定VGS。可以找到具有30VVGS容限和40VVDS容限的晶體管，適合鉛酸電池應(yīng)用。為了支持電壓較高的電池，必須增添齊納二極管和限流電阻器來(lái)修改電路。
圖12示出了一個(gè)能夠處理兩個(gè)串聯(lián)堆疊鉛酸電池的電路實(shí)例。
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D1、D3和R3保護(hù)Mp2和Mp3的柵極免受高電壓的損壞。當(dāng)一個(gè)反接電池進(jìn)行熱插拔時(shí)，D2可防止Mp3的柵極以及電池充電器輸出快速移動(dòng)至地電位以下。當(dāng)電路具有反接電池或處于錯(cuò)誤斷開連接閉鎖狀態(tài)時(shí)，Mp1和R1可檢測(cè)出來(lái)，并利用缺失的LTC4015的RT特性來(lái)停用電池充電器。
3結(jié)論
可以開發(fā)一種面向基于電池充電器應(yīng)用的反向電壓保護(hù)電路。人們開發(fā)了一些電路并進(jìn)行了簡(jiǎn)略的測(cè)試，測(cè)試結(jié)果令人鼓舞。關(guān)于反向電池問(wèn)題并不存在什么高招，不過(guò)，希望本文介紹的方法能夠供應(yīng)充分的啟示，即存在一種簡(jiǎn)單、低成本的解決方法。
