場效應管（FET）的三個腳命名為：柵極、源極、漏極。場效應管分為結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；p溝耗盡型和增強型四大類。

三極管（BJT）的三個腳分別命名為：基極（B）、集電極、發(fā)射極（C）。

其中集電極和源極是接地的，基極和柵極是控制極。

場效應管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來的。三極管通過電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場效應管是通過輸入電壓控制輸出，不消耗功率。場效應管和三極管的區(qū)別是電壓和電流控制，但這都是相對的。電壓控制的也需要電流，電流控制的也需要電壓，只是相對要小而已。就其性能而言，場效應管要明顯優(yōu)于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設計合理，采用場效應管會明顯提升整體性能。

1、三極管是雙極型管子，即管子工作時內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與。場效應管是單極型管子，即管子工作時要么只有空穴，要么只有自由電子參與導電，只有一種載流子；

2、三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會有輸出電流；場效應管屬于電壓控制器件，沒有輸入電流也會有輸出電流；

3、三極管輸入阻抗小，場效應管輸入阻抗大；

4、有些場效應管源極和漏極可以互換，三極管集電極和發(fā)射極不可以互換；

5、場效應管的頻率特性不如三極管；

6、場效應管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級；

7、如果希望信號源電流小應該選用場效應管，反之則選用三極管更為合適。

場效應管是場效應晶體管（FieldEffectTransistor，F(xiàn)ET）的簡稱。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度和輻射影響小等?yōu)點，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現(xiàn)已成為普通晶體管的強大競爭者。普通晶體管（三極管）是一種電流控制元件，工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，所以被稱為雙極型晶體管；而場效應管（FET）是一種電壓控制器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流），工作時，只有一種載流子參與導電，因此它是單極型晶體管。場效應管和三極管一樣都能實現(xiàn)信號的控制和放大，但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應用方面，場效應管優(yōu)于三極管，是三極管無法替代的，三極管與場效應管區(qū)別見下表。

場效應管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級。

1．場效應管的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發(fā)射極E、基極B、集電極C，它們的作用相似。

2．場效應管是電壓控制電流器件，由VGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。驅(qū)動能力強。

3．場效應管柵極幾乎不取電流（ig》》0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高。

4．場效應管只有多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場效應管比三極管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效應管。

5．場效應管在源極未與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時，其特性差異很大，b

值將減小很多。

6．場效應管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管。

7．場效應管和三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路，但由于前者制造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點，因而被廣泛用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。

總起來說，在設計場效應管電路時需要考慮的更多，比如由于其輸入阻抗高，就必須要考慮電路的抗干擾性能，正是因為輸入阻抗太高所以小小的一點干擾即可造成mos管的一個動作，還有就是場效應管無法做到像三極管那么高的電壓，當然現(xiàn)在的三極管和場效應管復合型器件IGBT已經(jīng)能做到很高的電壓了，mos管由于其特性比較適合做開關(guān)用，在低功耗產(chǎn)品中比三極管有優(yōu)勢。

工作原理

1.三極管，是電流驅(qū)動，需要消耗基極電流。所以三極管的放大系數(shù)通過Ic/Ib得到，就是說三極管的放大功能通過基極的電流實現(xiàn)的。

2.場效應管，是電壓驅(qū)動，柵極不導通，沒有電流經(jīng)過，不消耗電流。它通過電壓使得效應管能電子聚集起來，形成一條電子通道，然后漏極和源極被導通。所以，場效應管是通過導通電子隧道，實現(xiàn)放大功能的。柵極的電壓越高，導通的電流越大，但同時柵極不消耗電流。

通過上面的對比，總結(jié)下場效應管的優(yōu)缺點：

優(yōu)點是電流消耗相對少，導通速度快（只要加上電壓，就導通，比三極管通過形成電流導通的方式快）。

缺點是容易被靜電擊穿。

應用場景

場效應管一般比較貴，該技術(shù)使用在內(nèi)存上，例如EpROM，F(xiàn)LASH都是用場效應管保存數(shù)據(jù)。

Flash的硬件實現(xiàn)機制

Flash的內(nèi)部存儲是MOSFET，里面有個懸浮門（FloatingGate），是真正存儲數(shù)據(jù)的單元。

在Flash之前，紫外線可擦除（uv-erasable）的EpROM，就已經(jīng)采用了FloaTIngGate存儲數(shù)據(jù)這一技術(shù)了。

圖1.1.典型的Flash內(nèi)存單元的物理結(jié)構(gòu)

數(shù)據(jù)在Flash內(nèi)存單元中是以電荷（electricalcharge）形式存儲的。存儲電荷的多少，取決于圖中的外部門（externalgate）所被施加的電壓，其控制了是向存儲單元中沖入電荷還是使其釋放電荷。而數(shù)據(jù)的表示，以所存儲的電荷的電壓是否超過一個特定的閾值Vth來表示，因此，F(xiàn)lash的存儲單元的默認值，不是0（其他常見的存儲設備，比如硬盤燈，默認值為0），而是1，而如果將電荷釋放掉，電壓降低到一定程度，表述數(shù)字0。