鉅大LARGE | 點擊量：775次 | 2020年02月18日
碳化硅技術的硬核玩家，英飛凌用“芯”領航新能源時代
近日，第二屆英飛凌碳化硅應用技術發(fā)展論壇暨光伏與儲能分論壇在春意盎然的上海圓滿收官。此次盛會高朋滿座，英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部的管理團隊和技術專家與碳化硅產、學、研界的大咖，以及共創(chuàng)生態(tài)系統(tǒng)的合作伙伴齊聚一堂，共話碳化硅技術的發(fā)展前景、應用之道，并肩展望未來新能源發(fā)展趨勢。
論壇以“Cool芯領航英華綻放”為主題，英飛凌科技高級總監(jiān)peterFriedrichs圍繞“英飛凌碳化硅的技術布局”發(fā)表主旨演講，為整個大會拉開了序幕。來自英飛凌、臺達電力、中國科學院電工研究所、伊頓電氣、德國萊茵TüV集團、IHSMarkit的多位專家也出席了論壇，并做了精彩報告。
英飛凌科技高級總監(jiān)peterFriedrichs在論壇上發(fā)表演講
在中國產業(yè)革新的浪潮下，新興工業(yè)、能源產業(yè)迅猛發(fā)展，技術也不斷更新迭代，這要求功率器件具有更加出色的性能表現(xiàn)。而碳化硅功率器件憑借高頻、高效、高功率密度等優(yōu)勢，將迎來爆發(fā)期，廣泛應用于各個領域。在快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UpS、新能源汽車領域、軌道交通等行業(yè)，碳化硅器件的市場規(guī)模將迅速擴大，有望占據(jù)未來的科技制高點。
作為全球領先的半導體企業(yè)，英飛凌與時俱進、開拓創(chuàng)新，推出了先進的碳化硅技術和完整的解決方案，將在以下應用領域為中國企業(yè)和合作伙伴助力：
符合Exic IIB T4 Gc防爆標準
充電溫度：0~45℃
-放電溫度：-40~+55℃
-40℃最大放電倍率：1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%
太陽能領域：碳化硅技術可以在提高效率的同時，減小系統(tǒng)的體積和重量；
電動汽車充電領域：可以實現(xiàn)高速充電，簡化電路，減少損耗；
電機領域：SiCMOSFET可以降低損耗及噪音，可望減少55%的逆變器體積及重量；
新能源汽車領域：SiCMOSFET將成為主要的技術，將會在新能源汽車的各個部分都能得到應用。
在論壇上，各位專家還詳細探討了碳化硅技術的優(yōu)勢，深入剖析了碳化硅技術帶給市場的機遇與挑戰(zhàn)，并就碳化硅市場的現(xiàn)狀與前景分享了自己的獨到見解。
亮點一：碳化硅駕到，帶給市場的是機遇還是挑戰(zhàn)？
SiC給市場帶來的機遇遠遠大于挑戰(zhàn)，SiC器件具有高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢，但是SiC領域的專業(yè)人士往往對SiC器件是“又愛又恨”，一方面SiC在縮小了體積同時提高了效率，一方面在SiC在應用技術方面又有很高的要求，為了把短路保護做到極致，解決噪聲問題和散熱問題，這幾年我們在不斷的提升技術。無論是器件的研發(fā)還是系統(tǒng)的應用，SiC仍面臨著很多技術門檻，我們會在這方面與SiC元器件廠商共同努力進步。
——臺達電力電子研發(fā)中心執(zhí)行主任潘琪女士
亮點二：英飛凌在SiC領域的市場定位，SiC對英飛凌的重要性
SiC是英飛凌硅化領域中的核心產品，英飛凌在SiC產品的研發(fā)和生產方面做出了很多的努力。就生產而言，雖說在SiC原材料供應方面，晶圓的生產周期和產能是一個挑戰(zhàn)，但是英飛凌現(xiàn)有的冷切割技術，推動晶圓的產能得到大幅提升和更高效的應用。培養(yǎng)SiC技術領域人才方面，英飛凌不斷擴充頂尖技術團隊，希望把Si器件方面的生產能力、產能規(guī)模能延續(xù)到SiC，生產出高質量、可靠的SiC產品，進一步鞏固和提升我們的市場地位：為業(yè)界提供最可靠的SiC產品與服務！
英飛凌和國內的很多企業(yè)都有關于SiC的探討，在以下行業(yè)更是有著成熟和深度的合作：快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UpS、車載電源、軌道交通。我認為SiC能在某個行業(yè)對其效率有革命性的提升，比如：提高能效方面和減少重量與體積方面，它一定會對這個領域有著極大的作用。但是SiC器件也不是萬金油，在接下來的很長一段時間，Si與SiC器件都會長期并存，共同發(fā)展。
——英飛凌科技大中華區(qū)副總裁工業(yè)功率控制事業(yè)部負責人于代輝先生
亮點三：SiC和Si是一脈相承還是相去萬里？
可以從SiC與Si器件的原理方面進行分析，就結構來講，Si與SiC材料之間最主要的差別是他們承受的電場能力不同，彼此之間差了10倍。所以SiC的600V器件和Si的60V器件之間是可以有借鑒之處的。SiC器件現(xiàn)在所做的事情和Si之前所涉的技術大致相同，所以在原理方面是有借鑒之處的。
——浙江大學電氣工程學院盛況教授
亮點四：如何實現(xiàn)合理的SiC價格定位？
SiC的價格問題是一直很嚴峻，客戶永遠希望價格越低越好。作為一個新興技術，SiC也有新興技術所存在的普遍問題：產量小、穩(wěn)定度不夠、價格高。雖然大家都希望SiC技術可以普及，但是從新興技術發(fā)展到通用技術這個過程往往是十分漫長的。IGBT，從1990年至今，一共發(fā)展了30年，走過了7代的技術，從晶圓來講走過了4英寸、6英寸，8英寸、12英寸，從芯片的厚度從300降到了60μm，最終成本降到了原先的五分之一。所以SIC技術也同樣需要時間來進行技術上的打磨，從而降低成本。
——英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總監(jiān)馬國偉博士
亮點五：現(xiàn)代電力系統(tǒng)的特點
電力電子技術使電能在發(fā)生、輸送、分配、利用及存儲等環(huán)節(jié)都處于精確可控狀態(tài)，可顯著提高電能變換系統(tǒng)的靈活性和兼容性，在現(xiàn)代電力系統(tǒng)或電網中獲得了廣泛應用。
——中國科學院電工研究所李子欣博士
亮點六：供電網絡的變化及發(fā)展趨勢
隨著新半導體技術的出現(xiàn)，我們有機會將電力電子的工作模式發(fā)生比較大的變化。通過這種變化，更利于通過不間斷電源對電網和負載的各種問題做主動性的預防。
——伊頓電氣研發(fā)總監(jiān)鄭大為先生
多年來，晶圓走過了4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的發(fā)展歷程，芯片的厚度也從300μm一路超薄化為60μm，半導體技術的日新月異不僅造就了先進的碳化硅器件，還有更加滿足特定行業(yè)需求的芯片，模塊拓撲和封裝。
為了進一步搭建行業(yè)交流的全新平臺，此次碳化硅應用技術發(fā)展論壇還首次設置了光伏與儲能分論壇。會上不僅有業(yè)界最資深的分析咨詢公司解讀光儲市場的未來走向，還有最權威的認證機構詳解光儲產品設計規(guī)范和認證，更有英飛凌的技術專家深入淺出地為參會者介紹最全面的光伏產品解決方案，現(xiàn)場互動頻頻、驚喜不斷，掀起了一場半導體業(yè)的技術交流熱潮。
百尺竿頭，更進一步。歷經一載春華秋實，英飛凌碳化硅應用技術發(fā)展論壇已在中國生根發(fā)芽，結出了累累碩果。未來，英飛凌將繼續(xù)矢志創(chuàng)“芯”，引領碳化硅產業(yè)的發(fā)展，并與合作伙伴攜手共筑新能源領域的美好未來。
