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東芝推出搭載高效靜電放電保護的雙MOSFET“SSM6N813R

鉅大LARGE  |  點擊量:936次  |  2020年02月10日  

東京--東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)已推出搭載高效靜電放電保護的雙MOSFETSSM6N813R,該產(chǎn)品適用于需要耐高電壓和小尺寸的汽車應用,包括LED前照燈驅(qū)動器IC。量產(chǎn)出貨將于四月啟動。.



100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保SSM6N813R適用于需要多個LED的前照燈應用,高抗靜電能力為此提供支持。SSM6N813R采用最新工藝制造,使用TSOp6F封裝,具備1.5W的允許功耗和低導通電阻。此外,TSOp6F的封裝尺寸比SOp8封裝小70%。


應用場合

汽車LED前照燈驅(qū)動器

特點

小型封裝

高靜電保護等級

低RDS(ON)

主要規(guī)格



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