電動工具、園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機驅(qū)動。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護少、噪音小、使用壽命更長。

驅(qū)動電機功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護可靠、峰值電流承載能力強。小尺寸可實現(xiàn)工具內(nèi)的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設(shè)計。高效率可提供最長的電池壽命并減少冷卻工作?？煽康牟僮骱捅Ｗo可延長使用壽命，有助于提高產(chǎn)品聲譽。

為在兩個方向上驅(qū)動BDC電機，您需要使用兩個半橋(四個金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET))組成一個全橋。要驅(qū)動三相BLDC電機，需要使用三個半橋(六個MOSFET)組成一個三相逆變器。

使用TI的采用堆疊管芯架構(gòu)的CSD88584Q5DC和CSD88599Q5DC電源模塊(小型無引線(SON)，5mm6mm封裝)，您可通過兩個電源模塊和只帶三個電源模塊的三相BLDC電機在兩個方向驅(qū)動電機，如圖1所示。每個電源模塊連接兩個MOSFET(高側(cè)和低側(cè)MOSFET)，組成一個半橋。

圖1：不同電機驅(qū)動拓撲中的功率塊MOSFET

我們來看看這些功率塊可帶給無繩工具電機驅(qū)動子系統(tǒng)設(shè)計的優(yōu)勢。

功率密度倍增

CSD885x功率塊中的雙重堆疊芯片技術(shù)使印刷電路板(pCB)面積達到了之前的兩倍，與分立MOSFET相比，pCB占地面積減少了50%。

與相同性能級別的分立MOSFET(5mm6mm)相比，在同一封裝中集成兩個FET的功率塊可讓用于逆變器拓撲的三相pCB面積減少90mm2(3x5mm-6mm)。MOSFET互連軌道將與在帶分立MOSFET的pCB中運行，而更高的工作電流也要求更寬的pCB軌跡，因此pCB尺寸的節(jié)省值實際上遠超90mm2。大多數(shù)無繩電動工具應(yīng)用至少使用四層pCB，銅厚度大于2盎司。因此，通過電源模塊節(jié)省pCB尺寸可大大節(jié)省pCB成本。

具有低寄生效應(yīng)的清潔MOSFET開關(guān)

圖2所示為功率級pCB設(shè)計中由元件引線和非優(yōu)化布局引起的寄生電感和電容。這些pCB寄生效應(yīng)會導致電壓振鈴，從而導致MOSFET上的電壓應(yīng)力。

圖2：功率級半橋中的寄生電感和電容。

振鈴的原因之一是二極管反向恢復。由快速開關(guān)引起的高電流變化率可能導致高二極管反向恢復電流。反向恢復電流流經(jīng)寄生布局電感。由FET電容和寄生電感形成的諧振網(wǎng)絡(luò)引起相位節(jié)點振鈴，減少了電壓裕度并增加了器件的應(yīng)力。圖3所示為由于電路寄生效應(yīng)引起的具有分立MOSFET的相位節(jié)點電壓振鈴。

使用電源模塊時，具有連接兩個MOSFET的開關(guān)節(jié)點夾將高側(cè)和低側(cè)MOSFET之間的寄生電感保持在絕對最小值。在同一封裝中使用低側(cè)和高側(cè)FET可最大限度地減少pCB寄生，并減少相節(jié)點電壓振鈴。使用這些電源模塊有助于確保平滑的驅(qū)動MOSFET開關(guān)，即使在電流高達50A時也不會出現(xiàn)電壓過沖，如圖4所示。

圖3：具有分立MOSFET的相節(jié)點電壓振鈴和電壓過沖

圖4：帶有電源模塊的清潔相位節(jié)點切換波形

低pCB損耗，pCB寄生電阻降低

功率塊有助于減少pCB中高電流承載軌道的長度，從而減少軌道中的功率損耗。

讓我們了解分立FET的pCB軌道要求。頂部和底部分立MOSFET之間的pCB軌道連接導致pCB中的I2R損耗。圖5所示為將頂部和底部分立MOSFET并排連接時的銅軌道;這是可將電機繞組連輕松連接到pCB的常見布局之一。連接相位節(jié)點的銅面積的長度為寬度的兩倍(軌道寬度取決于電流，軌道寬度通常受電路板的外形尺寸限制)?；蛘?，您可以上下排列頂側(cè)和底側(cè)分立MOSFET，保持在相位節(jié)點之間。但是由于需要提供將電機繞組連接到相位節(jié)點，您可能無法減少軌道長度，并且這種布置可能不適合所有應(yīng)用。

若設(shè)計的pCB銅厚度為2oz(70m)，則連接圖5所示的相位節(jié)點的單層pCB軌道將具有約0.24m的電阻。假設(shè)軌道存在于兩個pCB平面中，則等效pCB電阻為0.12m。對于三相功率級，您有三個這樣的pCB軌道。您也可對直流電源輸入和返回軌道進行類似的分析。

電源模塊具有單個封裝中的頂側(cè)和底側(cè)MOSFET，以及通過封裝內(nèi)的金屬夾連接的相位節(jié)點，可優(yōu)化寄生電阻，并為布局提供靈活性，并可節(jié)省最小的0.5至1m的總pCB電阻。

圖5：具有分立MOSFET的典型相位節(jié)點軌道長度

卓越的散熱性能，雙重冷卻

CSD885x電源模塊采用DualCool?封裝，可在封裝頂部實現(xiàn)散熱，從而將熱量從電路板上散開，提供出色的散熱性能，并提高在5mm6mm封裝中的功率。根據(jù)數(shù)據(jù)手冊規(guī)范，功率塊具有1.1C/W的結(jié)到底殼體熱阻，和2.1C/W的結(jié)到頂殼體的熱阻。您可優(yōu)化功率塊底殼的pCB或功率塊的頂蓋的散熱片的冷卻功能。圖6所示為在1kW，36V三相逆變器pCB(36mm50mm)內(nèi)使用三個CSD88599Q5DC雙冷60V電源模塊測試的頂側(cè)公共散熱器(27mm27mm23mm)的結(jié)果，不帶任何氣流。在測試期間，散熱器和功率塊頂殼之間使用具有低熱阻抗(Rθ

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