鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量:1301次 | 2018年05月31日
Diodes芯片級(jí)雙向MOSFET可幫助提高鋰電池容量
Diodes公司(DiodesIncorporated)推出雙向MOSFETDMN2023UCB4,提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。DMN2023UCB4的低導(dǎo)通電阻可降低功耗,纖薄的芯片級(jí)封裝則使設(shè)計(jì)人員能利用省下來的空間來提高電池容量。新產(chǎn)品的目標(biāo)終端市場(chǎng)包括智能手機(jī)、平板電腦、照相機(jī)、可攜式媒體播放器,以及尺寸、重量和電池壽命都對(duì)其至關(guān)重要的同類型消費(fèi)性產(chǎn)品。
DMN2023UCB4的RSS(on)少于26mΩ,旨在以最低的導(dǎo)通電阻來減低功耗。此外,其雙N通道共汲極組態(tài)特別適合一般使用低側(cè)電池開關(guān)的充電電路,從而滿足單電芯及雙電芯鋰電池的要求。至于要求高端連接的應(yīng)用,Diodes公司也推出了DMP2100UCB9,提供雙P通道共源MOSFET設(shè)計(jì)。
這款新一代雙向MOSFET憑藉這些功能,加上占位面積僅1.8mmx1.8mm、厚度少于0.4mm的芯片級(jí)封裝,非常適合注重外形小巧的電池管理、負(fù)載開關(guān)及電池保護(hù)應(yīng)用。其他功能還包括少于1V的閘極臨限電壓,有助于全面提升通道在低電壓下操作的效能,以及防止靜電放電電壓超過2kV的閘極保護(hù)能力。